三星电子通过工艺改进提高芯片生产效率压倒性的成本竞争力三星电子在2019年花费了1.86万亿韩元用于购买晶圆。去年，三星电子花费了1.66万亿韩元用于购买晶圆。考虑到新晶圆的价格在2019年同比上涨了12％，因此两年内晶圆投入量几乎没有变化。

　　另一方面，三星电子在2019年生产的半导体数量为8890亿（Gb），比2018年的7110亿（Gb）增长了39％。三星电子通过工艺改进而不是设施扩建来增加半导体供应和利润率，这需要增加晶片输入。

　　三星电子在半导体领域的投资在2017年达到27.35万亿韩元的峰值后，在2018年下降至23.72万亿韩元，在2019年降至22.56万亿韩元。但是，其生产率已显着提高。到2020年，其计划是针对工艺市场的变化灵活地应对半导体市场的变化。

　　三星电子还正在加速其半导体微制造工艺。对于DRAM，芯片制造商正在努力将其第一代10纳米（1x）工艺转换为第二代（1y）或第三代（1z）工艺。随着DRAM生产工艺的升级，用一个晶片生产的半导体芯片的数量增加了20％到30％。特别地kaiyun平台，在通过应用极紫外（EUV）工艺大规模生产10纳米（1a）DRAM的情况下，与1x工艺相比，每个晶片的半导体产量可以翻倍。

　　三星电子还于2019年成功量产了第六代（1xx层）NAND闪存。第六代NAND闪存的芯片尺寸小于第五代（9x层）产品，并且每片晶圆的生产率为比第五代（9层）产品高约20％。三星电子预测，到2020年，NAND闪存的总比特率（每比特单位半导体产量的增长）也将在30％之内，因此，半导体在数据方面的出货量有望进一步增长。

　　一些半导体行业专家表示，由于三星压倒性的成本竞争力，中国在半导体行业的大赌注将无法真正获得回报。YMTC最近宣布，它将在2020年大规模生产128层NAND闪存，但它们大大落后于三星的第六代产品。据报道，三星电子的第六代产品采用了通道孔刻蚀技术，该刻蚀技术一次可刻蚀100多个单元，而YMTC则采用了在64层NAND闪存之上堆叠64层NAND闪存的方法。技术与三星相比。当前，三星电子是唯一可以通过一个蚀刻工艺批量生产九层或更高3D NAND闪存的芯片制造商。返回搜狐，查看更多